在第二次世界大战的硝烟中，军事科技的需求如同一股强大的推动力，引领着英美两国的科研机构深入探索半导体器件的奥秘。雷达与无线电技术的迅猛发展，迫切需要一种性能卓越的半导体材料来支撑其技术的飞跃。二十世纪早期的固体物理学家们，怀揣着对未知的好奇与对技术的渴望，踏上了寻找理想半导体的征途。他们最初的目光多聚焦于金属硫化物或氧化物，但随着研究的深入，半金属单质——硅与锗，逐渐显露出其独特的魅力与潜力。
在美国，K. Lark-Horovitz领导的Purdue大学研究团队，对锗的纯化及其在器件中的应用进行了深入而细致的研究，为锗在半导体领域的应用奠定了坚实的基础。与此同时，贝尔实验室的W. Shockley、J. Bardeen和W. H. Brattain三位科学家，则携手开启了半导体器件革命的新篇章。他们梦想着创造出一种能够替代笨重电子管的新型半导体器件，这一梦想在1947年12月15日化为了现实。
那一天，贝尔实验室的科学家们利用刀片在三角形金箔上精准地划出了两道细微的缝隙，随后巧妙地连接上导线，并用弹簧将其固定在Lark-Horovitz提供的锗块表面。这个看似简单却蕴含无限可能的小装置，在连接电源后，当锗块上的两个接触点逐渐靠近时，展现出了惊人的电压放大能力——1.3V的输入电压竟被放大了15倍！这一刻，改变历史的第一个晶体管诞生了，它不仅标志着半导体技术的飞跃，更预示着电子科技新时代的到来。
锗晶体管的成功问世，迅速引起了业界的广泛关注与热烈追捧。人们看到了锗在半导体领域所蕴藏的巨大商业价值，于是纷纷投入到单晶硅制造、锗提纯区域熔炼以及掺杂原子技术等领域的研发中。从1947年至1960年，锗以其独特的优势在半导体元件制造业中占据了核心地位，成为了大多数元件生产的基石。
然而，与此同时，硅作为另一种性能优良的半导体材料，也逐渐崭露头角。尽管硅的禁带宽度较大，电子和空穴迁移率不及锗，但其优异的性能仍然得到了业界的认可。贝尔实验室在发表关于三极管的论文时，就已经预见到硅与锗在半导体领域相互替代的可能性。随着硅提纯技术的不断发展，以及二氧化硅高熔点问题的逐步解决，二十世纪五十年代后期，可靠的单晶硅制造工艺终于问世，为硅在集成电路领域的大规模应用铺平了道路。
锗晶体管的诞生如何加杠杆炒股，不仅标志着半导体技术的重大突破，更为电子科技产业的蓬勃发展注入了强大的动力。而硅与锗的并驾齐驱，则共同推动了半导体行业的持续进步与创新。
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